Samsung startet Massenproduktion der branchenweit ersten 128-Gigabyte DDR4-Module für Enterprise Server

April 2024

Freie-PM.de: Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory

SEOUL, Korea, 26. November 2015 - Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten DDR4-Memorys (Double Data Rate-4) mit "Through Silicon Vias" (TSV) in Modulen mit 128Gigabyte (GB) begonnen. Die neuen Halbleiterspeicher sind für den Einsatz in Enterprise Servern und Rechenzentren gedacht.

Im Anschluss an die Markteinführung der weltweit ersten 3D TSV DDR4 DRAMs (64GB) im Jahr 2014 durch Samsung ist dem Unternehmen mit den neuen TSV RDIMMs (Registered Dual Inline Memory Module) ein weiterer beachtlicher Durchbruch gelungen, der den Weg für Memory mit sehr hoher Speicherkapazität auf Enterprise-Niveau ebnet. Samsungs neue TSV DRAM Module bieten von allen heute verfügbaren DRAM-Modulen die größte Kapazität sowie die höchste Energieeffizienz. Zugleich arbeiten die Speichermodule mit hoher Geschwindigkeit und ausgezeichneter Zuverlässigkeit.

"Wir freuen uns, dass wir durch die Massenproduktion unserer sehr schnellen Low-Power TSV DRAM-Module mit 128 GB globalen IT-Kunden und Partnern ermöglichen, für ihre Investitionen Enterprise-Lösungen einer neuen Generation mit wesentlich höherer Effizienz und Skalierbarkeit als bisher auf den Markt zu bringen," sagt Joo Sun Choi, Executive Vice President Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. "Auch in Zukunft werden wir unsere technische Kooperation mit global führenden Unternehmen aus den Bereichen Server, Konsumerelektronik und Emerging Markets erweitern und so Verbrauchern ermöglichen, von innovativer Technologie zu profitieren, welche ihre Produktivität steigert und für ein besseres Anwendererlebnis sorgt."

Das 128GB TSV DDR4 RDIMM besteht aus insgesamt 144 DDR4 Chips, angeordnet in 36 4GB-DRAM-Packages, von denen jedes vier 8-Gigabit (Gb) Chips in 20-Nanometer (nm) Technologie in erstklassiger

TSV Packaging-Technologie enthält.

Bei herkömmlichen Chip Packages erfolgt die Verbindung der Die-Stacks mit Hilfe von Wire Bonding. Bei TSV Packages hingegen sind die Dies nur ein paar Dutzend Mikrometer stark und von Hunderten kleinster Löcher durchbohrt. Die elektrische Verbindung erfolgt durch Elektroden, die durch die Löcher angeordnet sind, in vertikaler Richtung. Dies ermöglicht eine wesentlich bessere Signalübertragung. Zusätzlich zu der branchenweit höchsten Speicherkapazität und den fortschrittlichen Schaltkreisen der TSV-Module haben Samsungs 128GB-TSV-DDR4-Module ein spezielles Design, bei dem der Master-Chip jedes 4GB-Package die Datenpufferfunktion enthält, um die Leistungsfähigkeit und den Energieverbrauch des Moduls zu optimieren.

Als Resultat gibt Samsungs fortschrittliches 128GB TSV DDR4 RDIMM Entwicklern eine Low-Power-Lösung für Server der nächsten Generation mit Übertragungsgeschwindigkeiten bis 2.400 Mbps (Megabit pro Sekunde) an die Hand, die fast die doppelte Leistungsfähigkeit erreicht und zugleich 50% weniger Leistung aufnimmt. Verglichen sind diese Daten mit DRAM-Modulen mit der bisher höchsten Kapazität - 64GB LRDIMMs, deren Vier-Chip-Package-Stacks durch Einschränkungen hinsichtlich Leistung und Geschwindigkeit behindert sind, die durch den Einsatz von herkömmlichem Wire Bonding verursacht werden.

Samsung reagiert auf die steigende Nachfrage nach DRAMs mit ultrahoher Kapazität, indem das Unternehmen die Produktion von TSV-Technologie auf dem Markt vorantreibt und die Produktion von 20nm 8Gb DRAM-Chips zur Steigerung der Fertigungsproduktivität hochfährt. Um seine Technologie-Führerschaft zu festigen und den Markt für Premium Memory-Lösungen zu erweitern, plant das Unternehmen, innerhalb der nächsten Wochen ein komplettes Angebot seiner leistungsstarken TSV DRAM-Module anzubieten; darunter auch 128GB Load Reduced DIMMs (LRDIMMs).

Darüber hinaus wird Samsung auch weiterhin seine Technologie-Führerschaft beibehalten, indem es TSV DRAM mit höherer Leistungsfähigkeit auf den Markt bringt. Dazu gehören Module mit Datenübertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 2.667Mbps und 3.200Mbps, die helfen, sich verstärkende Anforderungen bei Enterprise Servern zu erfüllen, während TSV-Anwendungen in den Markt für High Bandwidth Memory (HBM) und Konsumerprodukte expandieren.
Über Samsung Electronics
Samsung Electronics Co., Ltd. inspiriert Menschen und eröffnet ihnen auf der ganzen Welt neue Möglichkeiten. Mit Innovationen und dem Streben, immer wieder Neues zu entdecken, verändern wir die Welt von Fernsehern, Smartphones, Wearables, Tablets, Kameras, Druckern, Haushaltgeräten, LTE-Netzwerk-Systemen, Medizintechnik bis hin zu Halbleitern und LED-Lösungen. Unsere Initiativen, unter anderem in den Bereichen Digital Health und Smart Home, machen uns zudem zu einem Schrittmacher für das Internet der Dinge. Wir beschäftigen weltweit 319.000 Menschen in 84 Ländern. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$196 Mrd. Entdecken Sie mehr auf www.samsung.com und unserem offiziellen Blog unter global.samsungtomorrow.com.

Über Samsung Semiconductor Europe
Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Ujeong Jahnke
Kölner Str. 12
65760 Eschborn
+49(0)6196-66-3300
+49(0)6196-66-23525
http://www.samsung.com/semiconductor/

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80538 München
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Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory

SEOUL, Korea, 26. November 2015 - Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten DDR4-Memorys (Double Data Rate-4) mit "Through Silicon Vias" (TSV) in Modulen mit 128Gigabyte (GB) begonnen. Die neuen Halbleiterspeicher sind für den Einsatz in Enterprise Servern und Rechenzentren gedacht.

Im Anschluss an die Markteinführung der weltweit ersten 3D TSV DDR4 DRAMs (64GB) im Jahr 2014 durch Samsung ist dem Unternehmen mit den neuen TSV RDIMMs (Registered Dual Inline Memory Module) ein weiterer beachtlicher Durchbruch gelungen, der den Weg für Memory mit sehr hoher Speicherkapazität auf Enterprise-Niveau ebnet. Samsungs neue TSV DRAM Module bieten von allen heute verfügbaren DRAM-Modulen die größte Kapazität sowie die höchste Energieeffizienz. Zugleich arbeiten die Speichermodule mit hoher Geschwindigkeit und ausgezeichneter Zuverlässigkeit.

"Wir freuen uns, dass wir durch die Massenproduktion unserer sehr schnellen Low-Power TSV DRAM-Module mit 128 GB globalen IT-Kunden und Partnern ermöglichen, für ihre Investitionen Enterprise-Lösungen einer neuen Generation mit wesentlich höherer Effizienz und Skalierbarkeit als bisher auf den Markt zu bringen," sagt Joo Sun Choi, Executive Vice President Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. "Auch in Zukunft werden wir unsere technische Kooperation mit global führenden Unternehmen aus den Bereichen Server, Konsumerelektronik und Emerging Markets erweitern und so Verbrauchern ermöglichen, von innovativer Technologie zu profitieren, welche ihre Produktivität steigert und für ein besseres Anwendererlebnis sorgt."

Das 128GB TSV DDR4 RDIMM besteht aus insgesamt 144 DDR4 Chips, angeordnet in 36 4GB-DRAM-Packages, von denen jedes vier 8-Gigabit (Gb) Chips in 20-Nanometer (nm) Technologie in erstklassiger

TSV Packaging-Technologie enthält.

Bei herkömmlichen Chip Packages erfolgt die Verbindung der Die-Stacks mit Hilfe von Wire Bonding. Bei TSV Packages hingegen sind die Dies nur ein paar Dutzend Mikrometer stark und von Hunderten kleinster Löcher durchbohrt. Die elektrische Verbindung erfolgt durch Elektroden, die durch die Löcher angeordnet sind, in vertikaler Richtung. Dies ermöglicht eine wesentlich bessere Signalübertragung. Zusätzlich zu der branchenweit höchsten Speicherkapazität und den fortschrittlichen Schaltkreisen der TSV-Module haben Samsungs 128GB-TSV-DDR4-Module ein spezielles Design, bei dem der Master-Chip jedes 4GB-Package die Datenpufferfunktion enthält, um die Leistungsfähigkeit und den Energieverbrauch des Moduls zu optimieren.

Als Resultat gibt Samsungs fortschrittliches 128GB TSV DDR4 RDIMM Entwicklern eine Low-Power-Lösung für Server der nächsten Generation mit Übertragungsgeschwindigkeiten bis 2.400 Mbps (Megabit pro Sekunde) an die Hand, die fast die doppelte Leistungsfähigkeit erreicht und zugleich 50% weniger Leistung aufnimmt. Verglichen sind diese Daten mit DRAM-Modulen mit der bisher höchsten Kapazität - 64GB LRDIMMs, deren Vier-Chip-Package-Stacks durch Einschränkungen hinsichtlich Leistung und Geschwindigkeit behindert sind, die durch den Einsatz von herkömmlichem Wire Bonding verursacht werden.

Samsung reagiert auf die steigende Nachfrage nach DRAMs mit ultrahoher Kapazität, indem das Unternehmen die Produktion von TSV-Technologie auf dem Markt vorantreibt und die Produktion von 20nm 8Gb DRAM-Chips zur Steigerung der Fertigungsproduktivität hochfährt. Um seine Technologie-Führerschaft zu festigen und den Markt für Premium Memory-Lösungen zu erweitern, plant das Unternehmen, innerhalb der nächsten Wochen ein komplettes Angebot seiner leistungsstarken TSV DRAM-Module anzubieten; darunter auch 128GB Load Reduced DIMMs (LRDIMMs).

Darüber hinaus wird Samsung auch weiterhin seine Technologie-Führerschaft beibehalten, indem es TSV DRAM mit höherer Leistungsfähigkeit auf den Markt bringt. Dazu gehören Module mit Datenübertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 2.667Mbps und 3.200Mbps, die helfen, sich verstärkende Anforderungen bei Enterprise Servern zu erfüllen, während TSV-Anwendungen in den Markt für High Bandwidth Memory (HBM) und Konsumerprodukte expandieren.
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